- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录539 > ZVP4424GTC (Diodes Inc)MOSFET P-CHAN 240V SOT223 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | ZVP4424GTC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CHAN 240V SOT223 |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 240V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 480mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 欧姆 @ 200mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ZVP4424G
TYPICAL CHARACTERISTICS
300 μ s Pulsed Test
V =-10V
-5V
-4V
-3V
-2.5V
-2V
V =-10V
300 μ s Pulsed Test
V
- Drain Source Voltage (Volts)
V
- Gate Source Voltage (Volts)
Saturation Characteristics
300 μ s Pulsed Test
V =-10V
Transfer Characteristics
300 μ s Pulsed Test
V =-10V
I - Drain Current (Amps )
V
-Gate Source Voltage (Volts)
Transconductance v drain current
Transconductance v gate-source voltage
V =-2V
-2.5V
-3V
-10V
300 μ s Pulsed Test
I Drain Current (Amps)
V -10V
I =0.2A
V V
I -1mA
Junction Temperature (°C)
On-resistance vs Drain Current
Normalised R
and V
vs Temperature
3 - 440
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZVP4424ZTA | MOSFET P-CHAN 240V SOT89 |
| ZVP4525E6TC | MOSFET P-CHAN 250V SOT23-6 |
| ZVP4525GTC | MOSFET P-CHAN 250V SOT223 |
| ZVP4525ZTA | MOSFET P-CH 250V 200MA SOT-89 |
| ZXM61N02FTC | MOSFET N-CHAN 20V SOT23-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVP4424Z | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SOT89 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
| ZVP4424ZTA | 功能描述:MOSFET P Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVP4525 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:250V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZVP4525E6 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述: |
| ZVP4525E6(1) | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。