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参数资料
| 型号： | ZXGD3002E6TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 1.25ns |
| 电流 - 峰： | 9A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1479 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXGD3002E6DKR |
ZXGD3002E6
Electrical characteristics (at T amb = 25°C unless otherwise stated).
Parameter
Output voltage, high
Symbol
V OH
Min.
Typ.
V CC –
Max.
Unit
V
Conditions
I SOURCE = 1 A
0.4
Output voltage, low
Source output leakage
V OL
I L(source)
0.4
1
V
A
I SINK = 1 A
V CC = 20V,
current
V IN1 = V IN2 = 0V
Sink output leakage
I L(sink)
1
A
V CC = 20V,
current
V IN1 = V IN2 = V CC
Quiescent current
I Q
50
nA
V CC = 16V,
V IN1 = V IN2 = 0V
Source output current
Sink output current
Source output current
Sink output current
Gate driver
switching times
Gate driver
switching times
I (source)
I (sink)
I (source)PK
I (sink)PK
t d(rise)
t r
t d(fall)
t f
t d(rise)
t r
t d(fall)
t f
1.6
1.4
2.2
2.0
9
9
1.25
8.3
1.6
10.8
3.6
105
6.9
115
A
A
A
A
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
I IN1 + I IN2 = 10mA
I IN1 + I IN2 = 10mA
I IN1 + I IN2 = 1A
I IN1 + I IN2 = 1A
C L =1nF, R L =1 ,
V CC =12V, V IN =10V,
R S =25
C L =1nF, R L =1 ,
V CC =12V, V IN =10V,
R S =1k
Switching Time Test Circuits
Timing Diagram
Issue 1 - October 2007
? Zetex Semiconductors plc 2007
4
www.zetex.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXGD3003E6TA | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 |
| ZXGD3004E6TA | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 |
| ZXGD3005E6TA | IC GATE DVR IGBT/MOSFET SOT26 |
| ZXGD3101N8TC | IC SYNCH MOSFET CNTRLR 4A SO8 |
| ZXGD3101T8TA | IC FLYBACK CONVERTER SOT223-8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXGD3003E6 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:5A(peak) gate driver in SOT23-6 |
| ZXGD3003E6TA | 功能描述:功率驱动器IC 5A Gate Driver Mosfet RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| ZXGD3004E6 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:8A(peak) gate driver |
| ZXGD3004E6TA | 功能描述:功率驱动器IC 8A Gate Driver Mosfet RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| ZXGD3005E6 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:10A (PEAK) GATE DRIVER IN SOT26 |
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