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参数资料
| 型号： | ZXGD3003E6TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 1.8ns |
| 电流 - 峰： | 5A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 40V |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1479 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXGD3003E6DKR |
ZXGD3003E6
Applications
Power MOSFET and IGBT Gate Driving in
?
?
?
?
?
Synchronous switch-mode power supplies
Secondary side synchronous rectification
Plasma Display Panel power modules
1, 2 and 3-phase motor control circuits
Audio switching amplifier power output stages
Pin configuration
Pin description
V CC
IN 1
GND
SOT236
Top view
SOURCE
IN 2
SINK
Pin Name
V CC
IN 1 / IN 2
GND
SOURCE
SINK
Pin Function
Driver supply
Driver input pins. These are normally connected together by circuit tracks.
Ground
Source current output.
Sink current output.
Ordering information
Device
ZXGD3003E6TA
Reel size
(inches)
7
Tape width
(mm)
8 embossed
Quantity per
reel
3000
Device marking
3003
Issue 2 - October 2007
? Zetex Semiconductors plc 2007
2
www.zetex.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXGD3004E6TA | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 |
| ZXGD3005E6TA | IC GATE DVR IGBT/MOSFET SOT26 |
| ZXGD3101N8TC | IC SYNCH MOSFET CNTRLR 4A SO8 |
| ZXGD3101T8TA | IC FLYBACK CONVERTER SOT223-8 |
| ZXGD3103N8TC | IC SYNCH MOSFET CNTRLR 4A SO8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXGD3004E6 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:8A(peak) gate driver |
| ZXGD3004E6TA | 功能描述:功率驱动器IC 8A Gate Driver Mosfet RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| ZXGD3005E6 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:10A (PEAK) GATE DRIVER IN SOT26 |
| ZXGD3005E6_11 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:25V 10A GATE DRIVER IN SOT26 |
| ZXGD3005E6TA | 功能描述:MOSFET 10A GATE DRIVER 25V VCC 25V VIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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