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参数资料
| 型号： | ZXGD3004E6TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 1.1ns |
| 电流 - 峰： | 8A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 40V |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1479 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXGD3004E6DKR |
ZXGD3004E6
Typical gate driver characteristics
100
T A = 25°C
V CC = 15V
V IN = 12.5V
Fall Time
10
T A = 25°C
V CC = 15V
V IN = 12.5V
Delay Rising
10
R S = 25 ?
R L = 0.1 ?
Rise Time
1
R S = 25 ?
R L = 0.1 ?
Delay Falling
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
C L Capacitive Load (nF)
Rise and Fall Time
C L Capacitive Load (nF)
Propagation Delay
6
5
T A = 25°C
V CC = 15V
V IN = 12.5V
Falling
100 Duty Cycle = 50%
4
3
R S = 25 ?
R L = 0.1 ?
Rising
10
250KHz
T A = 25°C
V CC = 15V
2
1
0
1
0.1
100KHz
V IN = 12.5V
R S = 25 ?
R L = 0.1 ?
100m
1
10
100
0.1
1
10
100
C L Capacitive Load (nF)
Peak Drive Current
C L Capacitive Load (nF)
Supply Current
16
12
8
V IN
T A = 25°C
V CC = 15V
V IN = 12.5V
R S = 25 ?
C L = 1.5nF
16
12
8
V IN
T A = 25°C
V CC = 15V
V IN = 12.5V
R S = 1000 ?
C L = 1.5nF
R L = 0.1 ?
R L = 0.1 ?
4
0
V OUT
4
0
V OUT
0
100 200 300 400 500 600 700 800
0
200
400
600
800
1000
Time (ns)
Switching Speed
Time (ns)
Switching Speed
Issue 1 - October 2007
? Zetex Semiconductors plc 2007
5
www.zetex.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXGD3005E6TA | IC GATE DVR IGBT/MOSFET SOT26 |
| ZXGD3101N8TC | IC SYNCH MOSFET CNTRLR 4A SO8 |
| ZXGD3101T8TA | IC FLYBACK CONVERTER SOT223-8 |
| ZXGD3103N8TC | IC SYNCH MOSFET CNTRLR 4A SO8 |
| ZXGD3104N8TC | IC SYNCH MOSFET CNTLR SO8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXGD3005E6 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:10A (PEAK) GATE DRIVER IN SOT26 |
| ZXGD3005E6_11 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:25V 10A GATE DRIVER IN SOT26 |
| ZXGD3005E6TA | 功能描述:MOSFET 10A GATE DRIVER 25V VCC 25V VIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXGD3006E6 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:40V 10A GATE DRIVER IN SOT26 |
| ZXGD3006E6TA | 功能描述:变换器 Transistor Gate RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube |
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