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参数资料
| 型号： | ZXGD3005E6TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE DVR IGBT/MOSFET SOT26 |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 电流 - 峰： | 10A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 25V |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-26 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | ZXGD3005E6TADIDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZXGD3005E6
Typical Switching Characteristics @T A = 25°C unless otherwise specified
15
10
V IN = 0 to 15V
V CC = 15V
V EE = 0V
R IN = 1k Ω
C L = 10nF
15
10
V IN = 0 to 15V
V CC = 15V
V EE = 0V
R IN = 1k Ω
C L = 100nF
5
V IN
V OUT
R L = 0.18 Ω
R SOURCE = 0 Ω
R SINK = 0 Ω
5
V OUT
V IN
R L = 0.18 Ω
R SOURCE = 0 Ω
R SINK = 0 Ω
0
0
0
100 200 300 400 500 600 700 800
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
Time (ns)
Switching Speed
Low Load Capacitance CL = 10nF
10
Time ( μ s)
Switching Speed
High Load Capacitance CL = 100nF
15
10
5
0
V IN
V OUT
V IN = -5 to 15V
V CC = 15V
V EE = -5V
R IN = 1k Ω
C L = 10nF
R L = 0.18 Ω
R SOURCE = 4.7 Ω
R SINK = 0 Ω
1
0.1
0.01
1E-3
V IN = 0 to 15V
V CC = 15V
V EE = 0V
Square Wave
C L = 1 μ F
C L = 100nF
C L = 1nF
-5
1E-4
C L = 10nF
0
100 200 300 400 500 600 700 800
10
100
1k
10k
100k
1M
Time (ns)
Switching Speed
Asymmetric Source and Sink Resistors
Frequency (Hz)
Supply Current
ZXGD3005E6
Document Number DS35095 Rev. 4 – 2
4 of 8
www.diodes.com
March 2011
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXGD3006E6 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:40V 10A GATE DRIVER IN SOT26 |
| ZXGD3006E6TA | 功能描述:变换器 Transistor Gate RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube |
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| ZXGD3101N8 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述: |
| ZXGD3101N8TA | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET Controller Synchronous SOIC8 |
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