- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录539 > ZXM61P03FTC (Diodes Inc)MOSFET P-CHAN 30V SOT23-3 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | ZXM61P03FTC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CHAN 30V SOT23-3 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 350 毫欧 @ 600mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 140pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 625mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ZXM61P03F
CHARACTERISTICS
ISSUE 1 - OCTOBER 2005
3
SEMICONDUCTORS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXM62N03GTA | MOSFET N-CH 30V ENHANCE SOT223 |
| ZXM62P02E6TA | MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6 |
| ZXM62P03E6TA | MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT-23-6 |
| ZXM64N02XTC | MOSFET N-CHAN 20V MSOP8 |
| ZXM64N035L3 | MOSFET N-CH 35V 13A TO-220-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXM62N02E6 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述: 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-23-6 |
| ZXM62N02E6_04 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXM62N02E6TA | 功能描述:MOSFET 20V N-Chnl HDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXM62N02E6TC | 功能描述:MOSFET 20V N Chnl HDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXM62N03E6 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-23-6 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。