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参数资料
| 型号： | ZXM66P02N8TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | SO-8 SO-8 Dual Pin Out |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 3.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 43.3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2068pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.56W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1472 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXM66P02N8DKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZXM66P02N8
Typical Characteristics
10
T = 25°C
10V
4.5V
2.5V
10
10V
4.5V
2.5V
T = 150°C
2V
2V
1
1
1.5V
-V GS
1.5V
0.1
1V
-V GS
0.1
0.1 1
-V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
0.01
1.6
0.1 1 10
-V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
V GS = -4.5V
1
0.1
T = 150°C
T = 25°C
1.4
1.2
1.0
I D = - 3.2A
R DS(on)
0.01
-V DS = 10V
0.8
0.6
V GS = V DS
I D = -250uA
V GS(th)
1E-3
500.0m
1.0
1.5
2.0
-50
0
50
100
150
-V GS Gate-Source Voltage (V)
Typical Transfer Characteristics
Tj Junction Temperature (°C)
Normalised Curves v Temperature
-V GS
1.5V
2V
T = 25°C
10
1
1
T = 150°C
0.1
2.5V
4.5V
0.1
0.01
T = 25°C
10V
0.01
0.1 1 10
-I D Drain Current (A)
On-Resistance v Drain Current
ZXM66P02N8
Document Number DS31965 Rev. 2 - 2
1E-3
0.2 0.4 0.6 0.8
-V SD Source-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
3 of 5
www.diodes.com
1.0
October 2009
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LB03KW01 | IND PB RECT SILVER SLD LB SER |
| UB01KW035D | INDICATOR SQ BLACK HSNG AMB LED |
| XR25VLT | MINI HOOK XR W/.025" SQ PIN VLT |
| 616-1232-140F | LED PANEL MNT 16MM GREEN 24VDC |
| LE67C5R | LED PNL MNT 125/250V RED |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXM66P02N8TC | 功能描述:MOSFET 20V P-Chnl HDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXM66P03N8 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXM66P03N8(1) | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述: |
| ZXM66P03N8TA | 功能描述:MOSFET 30V P-Chnl HDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXM66P03N8TC | 功能描述:MOSFET 30V P Chnl HDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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