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参数资料
| 型号： | ZXMC3AM832TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N+P 30V 2.7A 8MLP 3 X 2 |
| 产品变化通告： | MLP322, 832 Pkg Discontinuation 20/Dec/2010 |
| 其它图纸： | MLP832 MLP832 Side MLP832 Pin Out MLP832 Bottom |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.9A，2.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 2.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 190pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-MLP |
| 供应商设备封装： | 8-MLP（3x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMC3AM832TADKR |
OBSOLETE- PLEASE USE ZXMC3AMCTA
ZXMC3AM832
TYPICAL CHARACTERISTICS
10
R DS(ON)
Limited
10
R DS(ON)
Limited
1
DC 1s
1
DC 1s
100m
100ms
Note (a)(f)
10ms
1ms 100us
100m
100ms
Note (a)(f)
10ms
1ms
100us
10m
Single Pulse, T amb =25°C
10m Single Pulse, T amb =25°C
1
10
1
10
V DS Drain-Source Voltage (V)
N-channel Safe Operating Area
3.5
-V DS Drain-Source Voltage (V)
P-channel Safe Operating Area
80
60
40
Note (a)(f)
D=0.5
3.0
2.5
2.0
1.5
2oz Cu
Note (e)(g)
2oz Cu
Note (a)(f)
1oz Cu
Note (d)(g)
20
D=0.2
Single Pulse
D=0.05
1.0
0.5
1oz Cu
0
100μ
1m
10m 100m
D=0.1
1
10
100
1k
0.0
0
Note (d)(f)
25 50
75
100
125
150
3.5
Pulse Width (s)
Transient Thermal Impedance
225
Temperature (°C)
Derating Curve
3.0
2.5
2.0
T amb =25°C
T j max =150°C
Continuous
2oz copper
Note (f)
2oz copper
Note (g)
200
175
150
125
1oz copper
Note (f)
1oz copper
Note (g)
1.5
100
1.0
1oz copper
75
50
2oz copper
Note (f)
0.5
0.0
0.1
1
1oz copper
Note (f)
10
Note (g)
100
25
0
0.1
1
2oz copper
Note (g)
10
100
Board Cu Area (sqcm)
Power Dissipation v Board Area
PROVISIONAL ISSUE E - JULY 2004
3
Board Cu Area (sqcm)
Thermal Resistance v Board Area
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMC3AMCTA | MOSFET N+P 30V 2.9A/2.1A DFN |
| ZXMC4559DN8TA | MOSFET N/P-CHAN DUAL 60V 8SOIC |
| ZXMC4A16DN8TC | MOSFET N/P-CHAN DUAL 40V 8SOIC |
| ZXMD63C03XTC | MOSFET N/P-CHAN DUAL 30V 8MSOP |
| ZXMD63N02XTC | MOSFET DUAL N-CHAN 20V 8MSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMC3AM832TC | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:MPPS⑩ Miniature Package Power Solutions COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMC3AMC | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:30V COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMC3AMCTA | 功能描述:MOSFET 30V COMP ENH MODE 20V VGS 3.7 IDS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMC3F31DN8 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:30V SO8 Complementary dual enhancement mode |
| ZXMC3F31DN8TA | 功能描述:功率驱动器IC 30V S08 Dual MOSFET 20V VBR 4.5V Gate RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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