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参数资料
| 型号： | ZXMC3AM832TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N+P 30V 2.7A 8MLP 3 X 2 |
| 产品变化通告： | MLP322, 832 Pkg Discontinuation 20/Dec/2010 |
| 其它图纸： | MLP832 MLP832 Side MLP832 Pin Out MLP832 Bottom |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.9A，2.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 2.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 190pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-MLP |
| 供应商设备封装： | 8-MLP（3x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMC3AM832TADKR |
OBSOLETE- PLEASE USE ZXMC3AMCTA
ZXMC3AM832
N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS
10
T = 25°C
10V
7V
5V
4.5V
10
T = 150°C
10V
7V
5V
4.5V
4V
3.5V
4V
3.5V
1
0.1
V GS
3V
2.5V
1
0.1
V GS
3V
2.5V
2V
10
0.1 1 10
V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
1.6
0.1 1 10
V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
1
V DS = 10V
T = 150°C
T = 25°C
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V GS = 10V
I D = 2.5A
V GS = V DS
I D = 250uA
R DS(on)
V GS(th)
0.1
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0.4
-50
0
50
100
150
V GS Gate-Source Voltage (V)
Typical Transfer Characteristics
Tj Junction Temperature (°C)
Normalised Curves v Temperature
2.5V
3V
3.5V
4V
V GS
10
T = 150°C
1
4.5V
5V
1
0.1
T = 25°C
7V
10V
0.1
T = 25°C
0.1 1
I D Drain Current (A)
10
0.4
0.6 0.8 1.0
V SD Source-Drain Voltage (V)
1.2
On-Resistance v Drain Current
6
Source-Drain Diode Forward Voltage
PROVISIONAL ISSUE E - JULY 2004
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMC3AMCTA | MOSFET N+P 30V 2.9A/2.1A DFN |
| ZXMC4559DN8TA | MOSFET N/P-CHAN DUAL 60V 8SOIC |
| ZXMC4A16DN8TC | MOSFET N/P-CHAN DUAL 40V 8SOIC |
| ZXMD63C03XTC | MOSFET N/P-CHAN DUAL 30V 8MSOP |
| ZXMD63N02XTC | MOSFET DUAL N-CHAN 20V 8MSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMC3AM832TC | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:MPPS⑩ Miniature Package Power Solutions COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMC3AMC | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:30V COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMC3AMCTA | 功能描述:MOSFET 30V COMP ENH MODE 20V VGS 3.7 IDS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMC3F31DN8 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:30V SO8 Complementary dual enhancement mode |
| ZXMC3F31DN8TA | 功能描述:功率驱动器IC 30V S08 Dual MOSFET 20V VBR 4.5V Gate RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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