参数资料
型号: ZXMC4559DN8TA
厂商: Diodes Inc
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N/P-CHAN DUAL 60V 8SOIC
产品目录绘图: SO-8
SO-8 Dual Pin Out
其它图纸: SO-8 Single Pin Out
标准包装: 1
FET 型: N 和 P 沟道
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.6A,2.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 55 毫欧 @ 4.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1063pF @ 30V
功率 - 最大: 1.25W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SO
包装: 标准包装
产品目录页面: 1474 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: ZXMC4559DN8DKR
ZXMC4559DN8
N-Channel Typical Characteristics
ZXMC4559DN8
Document number: DS34498 Rev. 7- 2
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www.diodes.com
March 2014
? Diodes Incorporated
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PDF描述
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