- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录539 > ZXMC4559DN8TA (Diodes Inc)MOSFET N/P-CHAN DUAL 60V 8SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | ZXMC4559DN8TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CHAN DUAL 60V 8SOIC |
| 产品目录绘图： | SO-8 SO-8 Dual Pin Out |
| 其它图纸： | SO-8 Single Pin Out |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.6A，2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 55 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1063pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1474 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMC4559DN8DKR |
ZXMC4559DN8
Electrical Characteristics P-Channel Q1 (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 7)
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Source Leakage
BV DSS
I DSS
I GSS
-60
?
?
?
?
?
?
-1.0
± 100
V
μA
nA
V GS = 0V, I D = -250μA
V DS = -60V, V GS = 0V
V GS = ±20V, V DS = 0V
ON CHARACTERISTICS (Note 7)
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance
Diode Forward Voltage
Forward Transconductance
V GS(th)
R DS(ON)
V SD
g fs
-1.0
?
?
?
?
?
?
?
-0.85
7.2
?
85
125
-0.95
?
V
m Ω
V
S
V DS = V GS , I D = -250μA
V GS = -10V, I D = -2.9A
V GS = -4.5V, I D = -2.4A
V GS = 0V, I S = -3.4A
V DS =-15V,I D =-2.9A
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note 8)
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge (V GS = -5.0V)
Total Gate Charge (V GS = -10V)
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Turn-On Delay Time
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
Body Diode Reverse Recovery Time
Body Diode Reverse Recovery Charge
C iss
C oss
C rss
Q g
Q g
Q gs
Q gd
t D(on)
t r
t D(off)
t f
t rr
Q rr
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
1021
83.1
56.4
12.1
24.2
2.5
3.7
3.5
4.1
35
10
29.2
39.6
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
pF
nC
nS
nS
nC
V DS = -30V, V GS = 0V
f = 1.0MHz
V DS = -30V, I D = -2.9A
V DD = -30V, I D = -1.0A
V GS = -10V, R G = 6.0 Ω
I S = -2.0A, dI/dt = 100A/ μ s
I S = -2.0A, dI/dt = 100A/ μ s
Notes:
5. Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1inch square copper plate.
6. Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.
7. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
8. Guaranteed by design. Not subject to product testing.
ZXMC4559DN8
Document number: DS34498 Rev. 7- 2
7 of 11
www.diodes.com
March 2014
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMC4A16DN8TC | MOSFET N/P-CHAN DUAL 40V 8SOIC |
| ZXMD63C03XTC | MOSFET N/P-CHAN DUAL 30V 8MSOP |
| ZXMD63N02XTC | MOSFET DUAL N-CHAN 20V 8MSOP |
| ZXMD63N03XTC | MOSFET DUAL N-CHAN 30V 8MSOP |
| ZXMD63P02XTC | MOSFET DUAL P-CHAN 20V 8MSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMC4559DN8TC | 功能描述:功率驱动器IC 60V TRENCH MOSFET 20V VGS P-Channel RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| ZXMC4A16DN8 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:COMPLEMENTARY 40V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMC4A16DN8TA | 功能描述:MOSFET 40V N/P-Channel Enhancement MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMC4A16DN8TC | 功能描述:MOSFET N/P-CHAN DUAL 40V 8SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| ZXMC6A09DN8 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。