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参数资料
| 型号： | ZXMC4A16DN8TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CHAN DUAL 40V 8SOIC |
| 产品目录绘图： | SO-8 SO-8 Dual Pin Out |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A，3.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 770pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMC4A16DN8DKR |
ZXMC4A16DN8
COMPLEMENTARY 40V ENHANCEMENT MODE MOSFET
SUMMARY
N-Channel = V (BR)DSS = 40V : R DS(on) = 0.05 ; I D = 5.2A
P-Channel = V (BR)DSS = -40V : R DS(on) = 0.06 ; I D = -4.7A
DESCRIPTION
This new generation of trench MOSFETs from Zetex
utilises a unique structure that combines the benefits
of low on-resistance with fast switching speed. This
makes them ideal for high efficiency, low voltage,
power management applications.
FEATURES
? Low on-resistance
? Fast switching speed
? Low threshold
? Low gate drive
? Low profile SOIC package
APPLICATIONS
? Motor drive
? LCD backlighting
ORDERING INFORMATION
SO8
DEVICE
ZXMC4A16DN8TA
ZXMC4A16DN8TC
REEL
SIZE
7”
13 ”
TAPE WIDTH
12mm
12mm
QUANTITY PER
REEL
500
2,500
PINOUT
DEVICE MARKING
? ZXMC
4A16
TOP VIEW
ISSUE 1 - NOVEMBER 2004
1
SEMICONDUCTORS
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| ZXMC4A16DN8TC | 功能描述:MOSFET N/P-CHAN DUAL 40V 8SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| ZXMC6A09DN8 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMC6A09DN8TA | 功能描述:MOSFET Comp. 60V NP-Chnl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMC6A09DN8TC | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMD63C02X | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET DUAL NP MSOP8 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, DUAL, NP, MSOP8 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N & P CH, DUAL, 30V, 2.4A, MSOP-8; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:2.4A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):130mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Power Dissipation Pd:1.25W ;RoHS Compliant: Yes |
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