- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18347 > ZXMD63C03XTA (Diodes Inc)MOSFET N+P 30V 2A 8-MSOP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | ZXMD63C03XTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N+P 30V 2A 8-MSOP |
| 产品目录绘图： | MSOP-8 MSOP-8 Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.3A，2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 135 毫欧 @ 1.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 290pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.04W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-MSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMD63C03XDKR |
ZXMD63C03X
N-CHANNEL
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX. UNIT CONDITIONS
STATIC
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
V (BR)DSS
I DSS
30
1
V
μ A
I D =250 μ A, V GS =0V
V DS =30V, V GS =0V
Gate-Body Leakage
I GSS
100
nA
V GS =
20V, V DS =0V
Gate-Source Threshold Voltage
V GS(th)
1.0
V
I D =250 μ A, V DS = V GS
Static Drain-Source On-State Resistance (1) R DS(on)
0.135 Ω
0.200 Ω
V GS =10V, I D =1.7A
V GS =4.5V, I D =0.85A
Forward Transconductance (3)
g fs
1.9
S
V DS =10V,I D =0.85A
DYNAMIC (3)
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C iss
C oss
C rss
290
70
20
pF
pF
pF
V DS =25 V, V GS =0V,
f=1MHz
SWITCHING(2) (3)
Turn-On Delay Time
t d(on)
2.5
ns
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate Drain Charge
t r
t d(off)
t f
Q g
Q gs
Q gd
4.1
9.6
4.4
8
1.2
2
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V DD =15V, I D =1.7A
R G =6.1 Ω , R D =8.7 Ω
(Refer to test circuit)
V DS =24V,V GS =10V,
I D =1.7A
(Refer to test circuit)
SOURCE-DRAIN DIODE
Diode Forward Voltage (1)
V SD
0.95
V
T j =25°C, I S =1.7A,
V GS =0V
Reverse Recovery Time (3)
Reverse Recovery Charge(3)
t rr
Q rr
16.9
9.5
ns
nC
T j =25°C, I F =1.7A,
di/dt= 100A/ μ s
NOTES:
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300 μ s. Duty cycle
2%.
(2) Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
(3) For design aid only, not subject to production testing.
ISSUE 2 - SEPTEMBER 2007
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FML18A236A000 | SWITCH ROCKER SPST 10A 250V |
| M2012TNW03-FB | SWITCH ROCKER SPDT 6A 125V |
| B32522C1155J289 | FILM CAP 1.5000UF 5% 100V G800 |
| M2013TJW01 | SWITCH ROCKER SPDT 6A 125V |
| B32562J6154K | FILM CAP 0.15UF 10% 400V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMD63C03XTC | 功能描述:MOSFET 30V N&P Chnl HDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMD63N02 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:DUAL 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMD63N02X | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET DUAL NN MSOP8 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, DUAL, NN, MSOP8 制造商:DIODES 功能描述:MOSFET, DUAL, NN, MSOP8, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, DUAL, NN, MSOP8, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, DUAL, 20V, 2.4A, MSOP, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:2.4A, Drain Source Voltage Vds:20V, On Resistance Rds(on):130mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V, Threshold Voltage Vgs:700mV , RoHS Compliant: Yes |
| ZXMD63N02X | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET DUAL NN MSOP8 |
| ZXMD63N02XTA | 功能描述:MOSFET Dual 20V N Chl HDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。