参数资料
型号: ZXMD63C03XTA
厂商: Diodes Inc
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N+P 30V 2A 8-MSOP
产品目录绘图: MSOP-8
MSOP-8 Top
标准包装: 1
FET 型: N 和 P 沟道
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.3A,2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 135 毫欧 @ 1.7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 8nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 290pF @ 25V
功率 - 最大: 1.04W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
供应商设备封装: 8-MSOP
包装: 标准包装
产品目录页面: 1473 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: ZXMD63C03XDKR
ZXMD63C03X
N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS
ISSUE 2 - SEPTEMBER 2007
6
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