参数资料
型号: ZXMD63P03XTA
厂商: Diodes Inc
文件页数: 1/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET 2P-CH 30V 2A 8-MSOP
产品目录绘图: MSOP-8
MSOP-8 Top
标准包装: 1
FET 型: 2 个 P 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 185 毫欧 @ 1.2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 7nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 270pF @ 25V
功率 - 最大: 870mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
供应商设备封装: 8-MSOP
包装: 标准包装
产品目录页面: 1473 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: ZXMD63P03XDKR
ZXMD63P03X
DUAL 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
SUMMARY
V (BR)DSS =-30V; R DS(ON) =0.185V; I D =-2.0A
DESCRIPTION
This new generation of high density MOSFETs from Zetex utilizes a unique
structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching
speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power
management applications.
FEATURES
? Low on-resistance
MSOP8
? Fast switching speed
? Low threshold
? Low gate drive
? Low profile SOIC package
APPLICATIONS
? DC - DC converters
? Power management functions
? Disconnect switches
? Motor control
ORDERING INFORMATION
N-channel
P-channel
Pin-out
DEVICE
ZXMD63P03XTA
ZXMD63P03XTC
REELSIZE
(inches)
7
13
TAPE WIDTH
(mm)
12 embossed
12 embossed
QUANTITY
PER REEL
1,000
4,000
DEVICE MARKING
ZXM63P03
ISSUE 1 - OCTOBER 2005
1
49
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