型号: | ZXMN2A04DN8TA |
厂商: | Diodes Inc |
文件页数: | 1/7页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 8-SOIC |
产品目录绘图: | SO-8 SO-8 Dual Pin Out |
标准包装: | 1 |
FET 型: | 2 个 N 沟道(双) |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 5.9A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 25 毫欧 @ 5.9A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 700mV @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 40.5nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 1880pF @ 10V |
功率 - 最大: | 1.25W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装: | 8-SO |
包装: | 标准包装 |
产品目录页面: | 1472 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称: | ZXMN2A04DN8DKR |