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参数资料
| 型号： | ZXMN2A04DN8TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | SO-8 SO-8 Dual Pin Out |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 5.9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1880pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1472 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMN2A04DN8DKR |
ZXMN2A04DN8
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T A = 25°C unless otherwise stated)
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX. UNIT CONDITIONS
STATIC
I =250 A, V DS = V GS
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage
Gate-Source Threshold Voltage
Static Drain-Source On-State
Resistance (1)
Forward Transconductance (3)
V (BR)DSS
I DSS
I GSS
V GS(th)
R DS(on)
g fs
20
0.7
40
0.5
100
0.025
0.035
V
A
nA
V
?
S
I D =250 A, V GS =0V
V DS =20V, V GS =0V
V GS = 12V, V DS =0V
D
V GS =4.5V, I D =5.9A
V GS =2.5V, I D =5A
V DS =10V,I D =5.9A
DYNAMIC (3)
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C iss
C oss
C rss
1880
506
386
pF
pF
pF
V DS =10V, V GS =0V,
f=1MHz
SWITCHING (2) (3)
Turn-On Delay Time
t d(on)
7.9
ns
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Gate Charge
t r
t d(off)
t f
Q g
14.8
50.5
30.6
22.1
ns
ns
ns
nC
V DD =10V, I D =1A
R G ? 6 , V GS =5V
V DS =15V,V GS =5V,
I D =3.5A
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Q g
Q gs
Q gd
40.5
5.6
8.0
nC
nC
nC
V DS =10V,V GS =4.5V,
I D =5.9A
SOURCE-DRAIN DIODE
Diode Forward Voltage (1)
V SD
0.85
0.95
V
T J =25°C, I S =5.1A,
V GS =0V
Reverse Recovery Time (3)
Reverse Recovery Charge (3)
t rr
Q rr
18.0
8.9
ns
nC
T J =25°C, I F =1.9A,
di/dt= 100A/ μ s
NOTES:
(1) Measured under pulsed conditions. Width = 300 s. Duty cycle
2% .
(2) Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
(3) For design aid only, not subject to production testing.
ISSUE 1 - JULY 2004
SEMICONDUCTORS
4
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