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参数资料
| 型号： | ZXMN10A08E6TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6 |
| 其它图纸： | SOT-23-6 Pin Out |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 250 毫欧 @ 3.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 405pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1474 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMN10A08E6DKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZXMN10A08E6
Electrical Characteristics @T A = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Source Leakage
BV DSS
I DSS
I GSS
100
?
?
?
?
?
?
0.5
100
V
μ A
nA
I D = 250 μ A, V GS = 0V
V DS = 100V, V GS = 0V
V GS = ± 20V, V DS = 0V
ON CHARACTERISTICS
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance (Note 8)
Forward Transconductance (Notes 8 & 10)
Diode Forward Voltage (Note 8)
Reverse recovery time (Note 10)
Reverse recovery charge (Note 10)
V GS(th)
R DS (ON)
g fs
V SD
t rr
Q rr
2.0
?
?
?
?
?
?
5.0
0.87
27
32
4.0
0.25
0.30
?
0.95
?
?
V
?
S
V
ns
nC
I D = 250 μ A, V DS = V GS
V GS = 10V, I D = 3.2A
V GS = 6V, I D = 2.6A
V DS = 15V, I D = 3.2A
I S = 3.2A, V GS = 0V
I S = 1.2A, di/dt = 100A/ μ s
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note 10)
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate Charge (Note 9)
Total Gate Charge (Note 9)
Gate-Source Charge (Note 9)
Gate-Drain Charge (Note 9)
Turn-On Delay Time (Note 9)
Turn-On Rise Time (Note 9)
Turn-Off Delay Time (Note 9)
Turn-Off Fall Time (Note 9)
C iss
C oss
C rss
Q g
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
405
28.2
14.2
4.2
7.7
1.8
2.1
3.4
2.2
8
3.2
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V DS = 50V, V GS = 0V
f = 1MHz
V GS = 5V, V DS = 50V
I D = 1.2A
V GS = 10V, V DS = 50V
I D = 1.2A
V DD = 30V, V GS = 10V
I D = 1.2A, R G ? 6.0 Ω
Notes:
8. Measured under pulsed conditions. Width 300 μ s. Duty cycle 2%.
9. Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
10. For design aid only, not subject to production testing.
ZXMN10A08E6
Datasheet Number: DS31909 Rev. 8 – 2
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www.diodes.com
March 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| ZXMN10A08GTA | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel 2A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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