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参数资料
| 型号： | ZXMN10A08E6TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6 |
| 其它图纸： | SOT-23-6 Pin Out |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 250 毫欧 @ 3.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 405pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1474 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMN10A08E6DKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZXMN10A08E6
Package Outline Dimensions
A
SOT26
Dim Min Max Typ
B C
A
B
C
0.35 0.50 0.38
1.50 1.70 1.60
2.70 3.00 2.80
D
? ?
0.95
H
2.90 3.10 3.00
H
J
K
0.013 0.10 0.05
1.00 1.30 1.10
K
M
L
M
0.35 0.55 0.40
0.10 0.20 0.15
J
D
L
α 0° 8° ?
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
C2
C2
Dimensions Value (in mm)
Z
3.20
Z
G
C1
G
X
1.60
0.55
Y
0.80
Y
ZXMN10A08E6
Datasheet Number: DS31909 Rev. 8 – 2
X
6 of 7
www.diodes.com
C1
C2
2.40
0.95
March 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| A1101LLHLT-T | IC SWITCH HALL EFFECT SOT23W |
| FXO-HC536R-28.63636 | OSC 28.63636 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| TXM-433-LR_ | TRANSMITTER 433MHZ LR SERIES |
| R9G01818XX | RECTIFIER 1800V 1800A |
| FXO-HC736R-49.152 | OSC 49.152 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMN10A08E6TC | 功能描述:MOSFET 100V N-Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMN10A08G | 功能描述:MOSFET N-CHAN 100V SOT223 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| ZXMN10A08GTA | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel 2A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMN10A09K | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN10A09KTC | 功能描述:MOSFET MOSFET N-CH 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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