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参数资料
| 型号： | ZXMN2A01E6TC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 20V SOT23-6 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 303pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ZXMN2A01E6
TYPICAL CHARACTERISTICS
ISSUE 3 - FEBRUARY 2006
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMN2A01FTC | MOSFET N-CHAN 20V SOT23-3 |
| ZXMN2A02N8TA | MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC |
| ZXMN2A02X8TC | MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP |
| ZXMN2A03E6TC | MOSFET N-CHAN 20V SOT23-6 |
| ZXMN2A04DN8TC | MOSFET DUAL N-CHAN 20V 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMN2A01F | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN2A01F_06 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN2A01FTA | 功能描述:MOSFET 20V N-Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMN2A01FTA-CUT TAPE | 制造商:DIODES 功能描述:ZXMN2A01 Series 20 V 0.12 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3 |
| ZXMN2A01FTC | 功能描述:MOSFET 20V N Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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