参数资料
型号: ZXMN2A04DN8TC
厂商: Diodes Inc
文件页数: 1/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET DUAL N-CHAN 20V 8SOIC
标准包装: 2,500
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 5.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 25 毫欧 @ 5.9A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 700mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 40.5nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1880pF @ 10V
功率 - 最大: 1.25W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOP
包装: 带卷 (TR)
ZXMN2A04DN8
DUAL 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
SUMMARY
V (BR)DSS = 20V; R DS(ON) = 0.025
; I D = 7.7A
DESCRIPTION
This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique
structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching
speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power
management applications.
FEATURES
? Low on-resistance
? Fast switching speed
? Low threshold
? Low gate drive
? Low profile SOIC package
APPLICATIONS
? DC - DC converters
? Power management functions
? Disconnect switches
? Motor control
ORDERING INFORMATION
SO8
DEVICE
ZXMN2A04DN8TA
ZXMN2A04DN8TC
REEL
7 ’‘
13’‘
TAPE
WIDTH
12mm
12mm
QUANTITY
PER REEL
500 units
2500 units
PINOUT
DEVICE MARKING
ZXMN
2A04D
Top view
ISSUE 1 - JULY 2004
1
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ZXMN2A14F 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-23
ZXMN2A14FTA 功能描述:MOSFET N Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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