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参数资料
| 型号： | ZXMN2A04DN8TC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DUAL N-CHAN 20V 8SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 5.9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1880pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ZXMN2A04DN8
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Gate Source Voltage
SYMBOL
V DSS
V GS
LIMIT
20
12
UNIT
V
V
Continuous Drain Current
(V GS =10V; T A =25°C) (b) (d)
(V GS =10V; T A =70°C) (b) (d)
(V GS =10V; T A =25°C) (a) (d)
I D
7.7
6.2
5.9
A
A
A
Pulsed Drain Current (c)
Continuous Source Current (Body Diode) (b)
Pulsed Source Current (Body Diode) (c)
Power Dissipation at T A =25°C (a) (d)
Linear Derating Factor
Power Dissipation at T A =25°C (a) (e)
Linear Derating Factor
Power Dissipation at T A =25°C (b) (d)
Linear Derating Factor
Operating and Storage Temperature Range
I DM
I S
I SM
P D
P D
P D
T j :T stg
38
2.9
38
1.25
10
1.8
14
2.1
17
-55 to +150
A
A
A
W
mW/°C
W
mW/°C
W
mW/°C
°C
THERMAL RESISTANCE
PARAMETER
Junction to Ambient (a) (d)
Junction to Ambient (b) (e)
SYMBOL
R JA
R JA
VALUE
100
70
UNIT
°C/W
°C/W
Junction to Ambient
(b) (d)
R JA
60
°C/W
NOTES:
(a) For a dual device surface mounted on 25mm x 25mm FR4 PCB with coverage of single sided 1oz copper in still air conditions.
(b) For a dual device surface mounted on FR4 PCB measured at t
10 sec.
(c) Repetitive rating 25mm x 25mm FR4 PCB, D=0.02 pulse width=300μs - pulse width limited by maximum junction temperature. Refer to Trnsient
Thermal Impedance Graph.
(d) For a dual device with one active die.
(e) For dual device with 2 active die running at equal power.
ISSUE 1 - JULY 2004
SEMICONDUCTORS
2
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参数描述 |
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| ZXMN2A14F | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-23 |
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