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参数资料
| 型号： | ZXMN2B03E6TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6 |
| 其它图纸： | SOT-23-6 Pin Out |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 4.3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1160pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1472 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMN2B03E6DKR |
ZXMN2B03E6
20V SOT23-6 N-channel enhancement mode MOSFET
with low gate drive capability
Summary
V (BR)DSS
20
R DS(on) ( )
0.040 @ V GS = 4.5V
0.055 @ V GS = 2.5V
0.075 @ V GS = 1.8V
I D (A)
5.4
4.6
4.0
Description
This new generation trench MOSFET from Zetex features low on-
resistance achievable with low gate drive.
Features
D
?
?
Low on-resistance
Fast switching speed
?
?
Low gate drive capability
SOT23-6 package
G
S
Applications
?
?
DC-DC converters
Power management functions
?
?
Disconnect switches
Motor control
D
D
D
D
Ordering information
Device
Reel size
Tape width
Quantity per reel
G
S
(inches)
(mm)
Top view
ZXMN2B03E6TA
7
8
3,000
Device marking
2B3
Issue 1 - September 2006
? Zetex Semiconductors plc 2006
1
www.zetex.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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