参数资料
型号: ZXMN2F34FHTA
厂商: Diodes Inc
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CHAN 20V SOT23-3
其它图纸: SOT-23
SOT-23 Top
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 60 毫欧 @ 2.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 277pF @ 10V
功率 - 最大: 950mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3
包装: 标准包装
产品目录页面: 1472 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: ZXMN2F34FHDKR
ZXMN2F34FH
20V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET
Summary
V (BR)DSS
20
R DS(on) ( Ω )
0.060 @ V GS = 4.5V
0.120 @ V GS = 2.5V
I D (A)
4.0
2.9
Description
This new generation Trench MOSFET from Zetex features low on-
resistance achievable with low (2.5V) gate drive.
Features
?
?
?
Low on-resistance
2.5V gate drive capability
SOT23 package
G
D
Applications
?
?
?
Buck/Boost DC-DC Converters
Motor Control
LED Lighting
S
Ordering information
DEVICE
ZXMN2F34FHTA
Reel size
(inches)
7
Tape width
(mm)
8
Quantity
per reel
3000
D
S
Device marking
KNB
Top view
G
Issue 2 - February 2008
? Zetex Semiconductors plc 2008
1
www.zetex.com
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PDF描述
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