| 型号: | ZXMN2F34FHTA |
| 厂商: | Diodes Inc |
| 文件页数: | 4/8页 |
| 文件大小: | 0K |
| 描述: | MOSFET N-CHAN 20V SOT23-3 |
| 其它图纸: | SOT-23 SOT-23 Top |
| 标准包装: | 1 |
| FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 3.4A |
| 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 60 毫欧 @ 2.5A,4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)(最大): | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 2.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 277pF @ 10V |
| 功率 - 最大: | 950mW |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 供应商设备封装: | SOT-23-3 |
| 包装: | 标准包装 |
| 产品目录页面: | 1472 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称: | ZXMN2F34FHDKR |