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参数资料
| 型号： | ZXMN2F34FHTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 20V SOT23-3 |
| 其它图纸： | SOT-23 SOT-23 Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 277pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 950mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1472 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMN2F34FHDKR |
ZXMN2F34FH
Absolute maximum ratings
Parameter
Drain source voltage
Gate source voltage
Continous Drain Current @ V GS =4.5; T A =25 ° C (b)
@ V GS =4.5; T A =70 ° C (b)
@ V GS =4.5; T A =25 ° C (a)
Pulsed drain current (c)
Continuous source current (body diode) (b)
Pulsed source current (body diode) (c)
Power dissipation at T A =25 ° C (a)
Linear derating factor
Power dissipation at T A =25 ° C (b)
Linear derating factor
Operating and storage temperature range
Symbol
V DSS
V GS
I D
I DM
I S
I SM
P D
P D
T j , T stg
Limit
20
±12
4.0
3.3
3.4
18.6
2.1
18.6
0.95
7.6
1.4
11
-55 to 150
Unit
V
V
A
A
A
A
A
A
W
mW/ ° C
W
mW/ ° C
° C
Thermal resistance
Parameter
Junction to ambient (a)
Junction to ambient (b)
Junction to lead (d)
Symbol
R JA
R JA
R JL
Limit
131
89
68
Unit
° C/W
° C/W
° C/W
NOTES:
(a) For a device surface mounted on 25mm x 25mm FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper, in still air
conditions.
(b) For a device surface mounted on FR4 PCB measured at t ≤ 5 sec.
(c) Repetitive rating - 25mm x 25mm FR4 PCB, D=0.02, pulse width 300 μ s - pulse width limited by maximum junction
temperature.
(d) Thermal resistance from junction to solder-point (at end of drain lead).
Issue 2 - February 2008
? Zetex Semiconductors plc 2008
2
www.zetex.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| ZXMN3A02X8TA | MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-MSOP |
| ZXMN3A03E6TC | MOSFET N-CHAN 30V SOT23-6 |
| ZXMN3A04DN8TC | MOSFET DUAL N-CHAN 30V 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMN2F34MA | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:20V DFN2X2 N-channel enhancement mode MOSFET |
| ZXMN2F34MATA | 功能描述:MOSFET 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMN2H34FHTA | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:N/A - Tape and Reel |
| ZXMN3A01 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN3A01E6 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-23-6 |
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