| 型号: | ZXMN3A04DN8TC |
| 厂商: | Diodes Inc |
| 文件页数: | 1/7页 |
| 文件大小: | 0K |
| 描述: | MOSFET DUAL N-CHAN 30V 8SOIC |
| 标准包装: | 2,500 |
| FET 型: | 2 个 N 沟道(双) |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 6.5A |
| 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 20 毫欧 @ 12.6A,10V |
| Id 时的 Vgs(th)(最大): | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 36.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 1890pF @ 15V |
| 功率 - 最大: | 1.25W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 供应商设备封装: | 8-SOP |
| 包装: | 带卷 (TR) |