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参数资料
| 型号： | ZXMN3A04DN8TC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 7/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DUAL N-CHAN 30V 8SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 12.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 36.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1890pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ZXMN3A04DN8
PACKAGE OUTLINE
PACKAGE DIMENSIONS
DIM
INCHES
MILLIMETRES
MIN
MAX
MIN
MAX
A
A1
D
H
E
L
0.053
0.004
0.189
0.228
0.150
0.016
0.069
0.010
0.197
0.244
0.157
0.050
1.35
0.10
4.80
5.80
3.80
0.40
1.75
0.25
5.00
6.20
4.00
1.27
e
0.050 BSC
1.27 BSC
CONTROLLING DIMENSIONS ARE IN INCHES
APPROX IN MILLIMETRES
b
c
h
0.013
0.008
0
0.010
0.020
0.010
8
0.020
0.33
0.19
0
0.25
0.51
0.25
8
0.50
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ISSUE 2 - OCTOBER 2002
7
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PDF描述 |
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