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参数资料
| 型号： | ZXMN3A04DN8TC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DUAL N-CHAN 30V 8SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 12.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 36.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1890pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ZXMN3A04DN8
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Gate Source Voltage
Continuous Drain Current (V GS =10V; T A =25°C)(b)(d)
(V GS =10V; T A =70°C)(b)(d)
(V GS =10V; T A =25°C)(a)(d)
Pulsed Drain Current (c)
Continuous Source Current (Body Diode) (b)
Pulsed Source Current (Body Diode)(c)
Power Dissipation at T A =25°C (a)(d)
Linear Derating Factor
Power Dissipation at T A =25°C (a)(e)
Linear Derating Factor
Power Dissipation at T A =25°C (b)(d)
Linear Derating Factor
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V DSS
V GS
I D
I DM
I S
I SM
P D
P D
P D
T j :T stg
LIMIT
30
20
8.5
6.8
6.5
39
3.6
39
1.25
10
1.81
14.5
2.15
17.2
-55 to +150
UNIT
V
V
A
A
A
A
W
mW/°C
W
mW/°C
W
mW/°C
°C
THERMAL RESISTANCE
PARAMETER
Junction to Ambient (a)(d)
Junction to Ambient (b)(e)
Junction to Ambient (b)(d)
SYMBOL
R θ JA
R θ JA
R θ JA
VALUE
100
69
58
UNIT
°C/W
°C/W
°C/W
Notes
(a) For a dual device surface mounted on 25mm x 25mm FR4 PCB with coverage of single sided 1oz copper in still air conditions.
(b) For a dual device surface mounted on FR4 PCB measured at t
10 sec.
(c) Repetitive rating 25mm x 25mm FR4 PCB, D=0.02 pulse width=300μs - pulse width limited by maximum junction temperature. Refer to Trnsient
Thermal Impedance Graph.
(d) For a dual device with one active die.
ISSUE 2 - OCTOBER 2002
2
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PDF描述 |
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参数描述 |
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