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参数资料
| 型号： | ZXMN2B01FTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3 |
| 其它图纸： | SOT-23 SOT-23 Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 370pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 625mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1472 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMN2B01FDKR |
ZXMN2B01F
20V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET
with low gate drive capability
Summary
V (BR)DSS
20
R DS(on) ( )
0.100 @ V GS = 4.5V
0.150 @ V GS = 2.5V
0.200 @ V GS = 1.8V
I D (A)
2.4
2.0
1.7
Description
This new generation trench MOSFET from Zetex features low on-
resistance achievable with low gate drive.
Features
D
?
?
Low on-resistance
Fast switching speed
?
?
Low gate drive capability
SOT23 package
G
S
Applications
?
?
DC-DC converters
Power management functions
?
?
Disconnect switches
Motor control
D
S
Ordering information
G
Device
ZXMN2B01FTA
Reel size
(inches)
7
Tape width
(mm)
8
Quantity per reel
3,000
Top view
Device marking
2B1
Issue 2 - March 2007
? Zetex Semiconductors plc 2007
1
www.zetex.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| ZXMN2F34FHTA | MOSFET N-CHAN 20V SOT23-3 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| ZXMN2B14FHTA | 功能描述:MOSFET 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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