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参数资料
| 型号： | ZXMN2A01FTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3 |
| 其它图纸： | SOT-23 SOT-23 Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 303pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 625mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1472 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMN2A01FDKR |
ZXMN2A01F
Electrical Characteristics (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage
BV DSS
I DSS
I GSS
20
?
?
?
?
?
?
1
100
V
μA
nA
V GS = 0V, I D = 250μA
V DS = 20V, V GS = 0V
V GS = ± 12V, V DS = 0V
ON CHARACTERISTICS
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance (Note 8)
Forward Transconductance
Diode Forward Voltage (Note 8 & 10)
V GS(th)
R DS(ON)
g FS
V SD
0.7
?
??
?
?
?
?
?
6.1
0.85 ?
?
0.12
0.225
?
0.95 ?
V
?
??
S
V
V DS = V GS , I D = 250μA
V GS = 4.5V, I D = 4A
V GS = 2.5V, I D = 1.5A
V DS = 10V, I D = 4A
V GS = 0V, I S = 3.2A, T J = +25°C
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note 10)
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge (Note 9)
Gate-Source Charge (Note 9)
Gate-Drain Charge (Note 9)
Turn-On Delay Time (Note 9)
Turn-On Rise Time (Note 9)
Turn-Off Delay Time (Note 9)
Turn-Off Fall Time (Note 9)
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
C iss
C oss
C rss
Q g
Q gs
Q gd
t D(on)
t r
t D(off)
t f
t rr
Qrr
?
?
?
?
?
?
?
?
??
??
??
??
303
59
30
3.0
0.8
1.0
2.49
5.21
7.47
4.62
23
5.65
?
?
?
?
?
?
?
?
??
??
??
??
pF
nC
ns
ns
nC
V DS = 15V, V GS = 0V,
f = 1MHz
V DS = 10V, V GS = 10V,
I D = 4A
V DD = 10V , I D =4A,
R G = 6 ? , V GS = 5V
T J = +25°C, I F = 4A, di/dt= 100A/ μ s
Notes:
8. Measured under pulsed conditions. Width=300 μ s. Duty cycle ≦ 2%.
9. Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
10. Guaranteed by design. Not subject to production testing.
ZXMN2A01F
Document number: DS33513 Rev. 3 - 2
3 of 7
www.diodes.com
March 2014
? Diodes Incorporated
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参数描述 |
|---|---|
| ZXMN2A01FTA-CUT TAPE | 制造商:DIODES 功能描述:ZXMN2A01 Series 20 V 0.12 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3 |
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