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参数资料
| 型号： | ZXMN2A01FTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3 |
| 其它图纸： | SOT-23 SOT-23 Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 303pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 625mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1472 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMN2A01FDKR |
ZXMN2A01F
ZXMN2A01F
Document number: DS33513 Rev. 3 - 2
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www.diodes.com
March 2014
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 4768-K-24 | DBL BANA/MICROGRAB RG174/U 24" |
| US-5014 | PROTO-BOARD 14PIN THRU-HOLE SIP |
| ATS645LSH-I2TN | IC SENSOR GEAR TOOTH 4-SIP |
| ATS643LSH-I2 | IC SENSOR GEAR TOOTH 4-SIP |
| ATS643LSH-I1TN | IC SENSOR GEAR TOOTH 4-SIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMN2A01FTA-CUT TAPE | 制造商:DIODES 功能描述:ZXMN2A01 Series 20 V 0.12 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3 |
| ZXMN2A01FTC | 功能描述:MOSFET 20V N Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMN2A02N8 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN2A02N8(1) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
| ZXMN2A02N8_07 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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