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参数资料
| 型号： | ZXMN2B14FHTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3 |
| 其它图纸： | SOT-23 SOT-23 Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 55 毫欧 @ 3.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 872pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1472 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMN2B14FHDKR |
ZXMN2B14FH
Package outline - SOT23
E
e
b
3 leads
e1
L1
E1
A
D
A1
L
c
Dim.
Millimeters
Inches
Dim.
Millimeters
Inches
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Max.
Max.
A
-
1.12
-
0.044
e1
1.90 NOM
0.075 NOM
A1
b
C
D
0.01
0.30
0.085
2.80
0.10
0.50
0.120
3.04
0.0004
0.012
0.003
0.110
0.004
0.020
0.008
0.120
E
E1
L
L1
2.10
1.20
0.25
0.45
2.64
1.40
0.62
0.62
0.083
0.047
0.018
0.018
0.104
0.055
0.024
0.024
e
0.95 NOM
0.0375 NOM
-
-
-
-
-
Note: Controlling dimensions are in millimeters. Approximate dimensions are provided in inches
Issue 2 - March 2007
? Zetex Semiconductors plc 2007
7
www.zetex.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| ZXMN2F30FHTA | 功能描述:MOSFET 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMN2F34FH | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:20V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET |
| ZXMN2F34FHTA | 功能描述:MOSFET 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMN2F34MA | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:20V DFN2X2 N-channel enhancement mode MOSFET |
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