- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18273 > ZXMN3A06DN8TA (Diodes Inc)MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8-SOIC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | ZXMN3A06DN8TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | SO-8 SO-8 Dual Pin Out |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 796pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMN3A06DN8DKR |
ZXMN3A06DN8
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Gate Source Voltage
Continuous Drain Current (V GS =10V; T A =25°C)(b)(d)
(V GS =10V; T A =70°C)(b)(d)
(V GS =10V; T A =25°C)(a)(d)
Pulsed Drain Current (c)
Continuous Source Current (Body Diode) (b)
Pulsed Source Current (Body Diode)(c)
Power Dissipation at T A =25°C (a)(d)
Linear Derating Factor
Power Dissipation at T A =25°C (a)(e)
Linear Derating Factor
Power Dissipation at T A =25°C (b)(d)
Linear Derating Factor
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V DSS
V GS
I D
I DM
I S
I SM
P D
P D
P D
T j :T stg
LIMIT
30
20
6.2
5.0
4.9
30
3.7
30
1.25
10
1.80
14.5
2.1
17.3
-55 to +150
UNIT
V
V
A
A
A
A
W
mW/°C
W
mW/°C
W
mW/°C
°C
THERMAL RESISTANCE
PARAMETER
Junction to Ambient (a)(d)
Junction to Ambient (a)(e)
Junction to Ambient (b)(d)
SYMBOL
R θ JA
R θ JA
R θ JA
VALUE
100
69
58
UNIT
°C/W
°C/W
°C/W
NOTES
(a) For a device surface mounted on 25mm x 25mm FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper, in still air conditions
(b) For a device surface mounted on FR4 PCB measured at t 10 secs.
(c) Repetitive rating 25mm x 25mm FR4 PCB, D=0.02 pulse width=300μs - pulse width limited by maximum junction temperature. Refer to
Transient Thermal Impedance graph.
(d) For device with one active die
(e) For device with two active die running at equal power.
ISSUE 2 - OCTOBER 2002
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 445I32F30M00000 | CRYSTAL 30.000000 MHZ 24PF SMD |
| FVXO-LC73B-48 | OSC 48 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| 445I32F27M00000 | CRYSTAL 27.000000 MHZ 24PF SMD |
| FVXO-LC73B-60 | OSC 60 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| 445I32F25M00000 | CRYSTAL 25.000000 MHZ 24PF SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMN3A06DN8TC | 功能描述:MOSFET Dl 30V N Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMN3A06N8TA | 功能描述:MOSFET 30V N Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMN3A14F | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-23 |
| ZXMN3A14FTA | 功能描述:MOSFET N Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMN3A14FTA-CUT TAPE | 制造商:DIODES 功能描述:ZXMN3A14 Series 30 V 0.065 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。