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参数资料
| 型号： | ZXMN3A06DN8TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | SO-8 SO-8 Dual Pin Out |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 796pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMN3A06DN8DKR |
ZXMN3A06DN8
TYPICAL CHARACTERISTICS
10
T = 25°C
10V
4V
3V
2.5V
10
T = 150°C
10V
4V
3.5V
3V
2.5V
2V
1
2V
V GS
1
1.5V
0.1
0.01
1.5V
0.1 1 10
V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
0.1
0.01
1.6
1.4
V GS
1V
0.1 1 10
V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
V GS = 10V
I D = 1.5A
10
T = 150°C
1.2
R DS(on)
1.0
1
T = 25°C
0.8
V GS(th)
0.1
1
2
V DS = 10V
3
4
0.6
0.4
-50
0
V GS = V DS
I D = 250uA
50
100
150
V GS Gate-Source Voltage (V)
Typical Transfer Characteristics
100
T = 25°C
Tj Junction Temperature (°C)
Normalised Curves v Temperature
100
10
2V
V GS
10
T = 150°C
1
2.5V
3V
T = 25°C
1
0.1
4V
10V
0.01
0.1 1 10
I D Drain Current (A)
On-Resistance v Drain Current
ISSUE 2 - OCTOBER 2002
5
0.1
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
V SD Source-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMN3A06DN8TC | 功能描述:MOSFET Dl 30V N Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMN3A06N8TA | 功能描述:MOSFET 30V N Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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