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参数资料
| 型号： | ZXMN6A25K |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 60V DPAK |
| 其它图纸： | D-PAK D-PAK Pin Out |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 3.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1063pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 2.11W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMN6A25KDKR |
ZXMN6A25K
Absolute maximum ratings
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Continuous drain current @ V GS = 10V; T amb =25°C (b)
@ V GS = 10V; T amb =70°C (b)
@ V GS = 10V; T amb =25°C (a)
Pulsed drain current (c)
Continuous source current (body diode) (b)
Pulsed source current (body diode) (c)
Power dissipation at T amb =25°C (a)
Linear derating factor
Power dissipation at T amb =25°C (b)
Linear derating factor
Power dissipation at T amb =25°C (d)
Linear derating factor
Operating and storage temperature range
Symbol
V DSS
V GS
I D
I DM
I S
I SM
P D
P D
P D
T j , T stg
Limit
60
±20
10.7
8.6
7
36
11.8
36
4.25
34
9.85
78.7
2.11
16.8
-55 to +150
Unit
V
V
A
A
A
A
A
A
W
mW/°C
W
mW/°C
W
mW/°C
°C
Thermal resistance
Parameter
Junction to ambient (a)
Junction to ambient (b)
Junction to ambient (d)
Symbol
R JA
R JA
R JA
Limit
29.4
12.7
59.1
Unit
°C/W
°C/W
°C/W
NOTES:
(a) For a device surface mounted on 50mm x 50mm x 1.6mm FR4 PCB with high coverage of single sided 2oz copper, in
still air conditions.
(b) For a device surface mounted on FR4 PCB measured at t
10 sec.
(c) Repetitive rating 50mm x 50mm x 1.6mm FR4 PCB, D=0.02 pulse width=300 s - pulse width limited by maximum
junction temperature.
(d) For a device surface mounted on 25mm x 25mm x 1.6mm FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz. copper, in
still air conditions.
Issue 3 - Novmber 2006
? Zetex Semiconductors plc 2006
2
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMN6A25KTC | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V MOSFET (UMOS) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMN6A25N8 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:60V SO8 N-channel enhancement mode MOSFET |
| ZXMN6A25N8TA | 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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