参数资料
型号: ZXMN6A25K
厂商: Diodes Inc
文件页数: 7/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CHAN 60V DPAK
其它图纸: D-PAK
D-PAK Pin Out
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 50 毫欧 @ 3.6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1063pF @ 30V
功率 - 最大: 2.11W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: TO-252-3
包装: 标准包装
产品目录页面: 1473 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: ZXMN6A25KDKR
ZXMN6A25K
Package outline - DPAK
DIM
A
A1
b
b2
b3
c
c2
D
Inches
Min Max
0.086 0.094
- 0.005
0.020 0.035
0.030 0.045
0.205 0.215
0.018 0.024
0.018 0.023
0.213 0.245
Millimeters
Min Max
2.18 2.39
- 0.127
0.508 0.89
0.762 1.14
5.21 5.46
0.457 0.61
0.457 0.584
5.41 6.22
DIM
e
H
L
L1
L2
L3
L4
L5
Inches
Min Max
0.090 BSC
0.370 0.410
0.055 0.070
0.108 REF
0.020 BSC
0.035 0.065
0.025 0.040
0.045 0.060
Millimeters
Min Max
2.29 BSC
9.40 10.41
1.40 1.78
2.74 REF
0.508 BSC
0.89 1.65
0.635 1.016
1.14 1.52
D1
E
0.205 -
0.250 0.265
5.21 -
6.35 6.73
θ 1 °
θ °
0 °
0 °
10 °
15 °
0 °
0 °
10 °
15 °
E1
0.170 -
4.32 -
-
- -
- -
Note: Controlling dimensions are in inches. Approximate dimensions are provided in millimeters
Issue 3 - Novmber 2006
? Zetex Semiconductors plc 2006
7
www.zetex.com
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PDF描述
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参数描述
ZXMN6A25KTC 功能描述:MOSFET N-Chan 60V MOSFET (UMOS) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZXMN6A25N8 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:60V SO8 N-channel enhancement mode MOSFET
ZXMN6A25N8TA 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZXMN6AA11ATA 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:
ZXMN7A11 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:70V N-channel enhancement mode MOSFET