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参数资料
| 型号： | ZXMN7A11GTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 70V 3.8A SOT-223 |
| 其它图纸： | SOT-223 SOT-223 Footprint |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 70V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 130 毫欧 @ 4.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 298pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1474 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMN7A11GDKR |
ZXMN7A11G
Typical characteristics
Issue 1 - March 2006
? Zetex Semiconductors plc 2006
6
www.zetex.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMN7A11KTC | MOSFET N-CH 70V 6.1A D-PAK |
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| ZXMP10A16KTC | MOSFET P-CH 100V DPAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMN7A11GTC | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:70V N-channel enhancement mode MOSFET |
| ZXMN7A11K | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:70V N-channel enhancement mode MOSFET |
| ZXMN7A11KTC | 功能描述:MOSFET 70V N-Channel 6.1A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMNS3BM832(2) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
| ZXMNS3BM832TA | 功能描述:MOSFET 30V N Ch UMOS/1ASch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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