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参数资料
| 型号： | ZXMN7A11GTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 8/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 70V 3.8A SOT-223 |
| 其它图纸： | SOT-223 SOT-223 Footprint |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 70V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 130 毫欧 @ 4.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 298pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1474 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMN7A11GDKR |
ZXMN7A11G
Package outline - SOT223
DIM
Millimeters
Inches
DIM
Millimeters
Inches
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
A
A1
-
0.02
1.80
0.10
-
0.0008
0.071
0.004
e
e1
2.30 BSC
4.60 BSC
0.0905 BSC
0.181 BSC
b
b2
C
D
0.66
2.90
0.23
6.30
0.84
3.10
0.33
6.70
0.026
0.114
0.009
0.248
0.033
0.122
0.013
0.264
E
E1
L
-
6.70
3.30
0.90
-
7.30
3.70
-
-
0.264
0.130
0.355
-
0.287
0.146
-
-
Note: Controlling dimensions are in millimeters. Approximate dimensions are provided in inches
Europe
Zetex GmbH
Streitfeldstra?e 19
D-81673 München
Germany
Telefon: (49) 89 45 49 49 0
Fax: (49) 89 45 49 49 49
europe.sales@zetex.com
Americas
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700 Veterans Memorial Highway
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Fax: (1) 631 360 8222
usa.sales@zetex.com
Asia Pacific
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3701-04 Metroplaza Tower 1
Hing Fong Road, Kwai Fong
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Issue 1 - March 2006
? Zetex Semiconductors plc 2006
8
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PDF描述 |
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