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参数资料
| 型号： | ZXMN7A11KTC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 70V 6.1A D-PAK |
| 其它图纸： | D-PAK D-PAK Pin Out |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 70V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 130 毫欧 @ 4.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 298pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 2.11W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1474 (CN2011-ZH PDF) |
ZXMN7A11K
Typical characteristics
Issue 2 - August 2006
? Zetex Semiconductors plc 2006
5
www.zetex.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMP10A13FTA | MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23-3 |
| ZXMP10A16KTC | MOSFET P-CH 100V DPAK |
| ZXMP10A17E6TA | MOSFET P-CH TRENCH -100V SOT23-6 |
| ZXMP10A18GTA | MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223 |
| ZXMP10A18K | MOSFET P-CHAN 100V DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMNS3BM832(2) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
| ZXMNS3BM832TA | 功能描述:MOSFET 30V N Ch UMOS/1ASch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMP | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:DUAL P-CHANNEL 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMP10A13F | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMP10A13FTA | 功能描述:MOSFET P-Ch 100 Volt 0.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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