参数资料
型号: ZXMP10A18K
厂商: Diodes Inc
文件页数: 1/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CHAN 100V DPAK
标准包装: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 150 毫欧 @ 2.8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 26.9nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1055pF @ 50V
功率 - 最大: 2.17W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: TO-252-3
包装: 标准包装
其它名称: ZXMP10A18KDKR
ZXMP10A18K
100V DPAK P-channel enhancement mode MOSFET
Summary
V (BR)DSS
-100
R DS(on) ( )
0.150 @ V GS = -10V
I D (A)
-5.9
0.190 @ V GS = -6V
Description
-5.2
D
This new generation trench MOSFET from Zetex features a unique
structure combining the benefits of low on-resistance and fast
switching, making it ideal for high efficiency power management
applications.
Features
G
S
?
?
?
?
Low on-resistance
Fast switching speed
Low threshold
Low gate drive
?
DPAK package
D
Applications
?
?
DC-DC converters
Power management functions
?
?
Disconnect switches
Motor control
D
G S
Pinout - top view
Ordering information
Device
ZXMP10A18KTC
Reel size
(inches)
13
Tape width
(mm)
16
Quantity
per reel
2,500
Device marking
ZXMP
10A18
Issue 1 - August 2006
? Zetex Semiconductors plc 2006
1
www.zetex.com
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PDF描述
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参数描述
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