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参数资料
| 型号： | ZXMP2120FFTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 200V SOT23F-3 |
| 其它图纸： | SOT-23F SOT-23F Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 137mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 28 欧姆 @ 150mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-3 扁平引线 |
| 供应商设备封装： | SOT-23F |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1475 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMP2120FFDKR |
ZXMP2120FF
200V SOT23F P-channel enhancement mode MOSFET
Summary
V (BR)DSS
-200
R DS (on) ( )
28 @ V GS = -10V
I D (mA)
-137
Description
This 200V enhancement mode P-channel MOSFET provides users with
a competitive specification offering efficient power handling capability,
high impedance and freedom from thermal runaway and thermally
induced secondary breakdown.
Applications benefiting from this device include a variety of telecom
and general high voltage circuits.
Features
D
?
High voltage
?
?
?
?
?
Low on-resistance
Fast switching speed
Low gate drive
Low threshold
SOT23 FLAT package
G
S
Applications
?
Active clamping of primary side MOSFETs in 48 volt DC-DC
converters
Ordering information
D
S
Device
Reel size
Tape width
Quantity
(inches)
(mm)
per reel
G
ZXMP2120FFTA
7
8
3,000
Top view
Device marking
1C4
Issue 1 - January 2007
? Zetex Semiconductors plc 2007
1
www.zetex.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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