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参数资料
| 型号： | ZXMP2120G4TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 200V 200MA SOT-223 |
| 其它图纸： | SOT-223 SOT-223 Footprint |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 欧姆 @ 150mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1475 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMP2120G4DKR |
ZXMP2120G4
200V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
SUMMARY
V (BR)DSS =-200V; R DS(ON) = 25 ; I D = 200mA
DESCRIPTION
This 200V enhancement mode P-channel MOSFET provides users with a
competitive specification offering efficient power handling capability, high
impedance and is free from thermal runaway and thermally induced
secondary breakdown. Applications benefiting from this device include a
variety of telecom and general high voltage circuits.
A SOT23-5 version is also available (ZXMP2120E5).
SOT223
FEATURES
? High voltage
? Low on-resistance
? Fast switching speed
? Low gate drive
? Low threshold
? SOT223 package variant engineered to increase spacing between
high voltage pins.
APPLICATIONS
? Active clamping of primary side MOSFETs in 48 volt DC-DC converters
ORDERING INFORMATION
S
DEVICE
REEL SIZE
TAPE WIDTH (mm)
QUANTITY
D
N/C
(inches)
PER REEL
G
ZXMP2120G4TA
7
12mm embossed
1,000 units
ZXMP2120G4TC
13
12mm embossed
4,000 units
Pinout - top view
DEVICE MARKING
ZXMP
2120
ISSUE 2 - SEPTEMBER 2006
1
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PDF描述 |
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