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参数资料
| 型号： | ZXMP2120G4TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 200V 200MA SOT-223 |
| 其它图纸： | SOT-223 SOT-223 Footprint |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 欧姆 @ 150mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1475 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMP2120G4DKR |
ZXMP2120G4
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Gate Source Voltage
SYMBOL
V DS
V GS
VALUE
-200
20
UNIT
V
V
Continuous Drain Current (V GS =10V; T amb =25°C)
(a)
I D
-200
mA
Pulsed Drain Current
(b)
I DM
-1
A
Pulsed Source Current (Body Diode) (b)
Power Dissipation at T amb =25°C (a)
Linear derating factor
Operating and Storage Temperature Range
I SM
P tot
T j :T stg
-1
2.0
1.6
-55 to +150
A
W
mW/°C
°C
THERMAL RESISTANCE
PARAMETER
Junction to Ambient (a)
SYMBOL
R θ JA
VALUE
62.5
UNIT
°C/W
NOTES:
(a) For a device surface mounted on 25mm x 25mm FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper, in still air conditions
(b) Repetitive rating - pulse width limited by maximum junction temperature. Refer to Transient Thermal Impedance graph.
ISSUE 2 - SEPTEMBER 2006
2
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