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参数资料
| 型号： | ZXMP2120FFTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 200V SOT23F-3 |
| 其它图纸： | SOT-23F SOT-23F Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 137mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 28 欧姆 @ 150mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-3 扁平引线 |
| 供应商设备封装： | SOT-23F |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1475 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMP2120FFDKR |
ZXMP2120FF
Absolute maximum ratings
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Continuous drain current @ V GS = 10V; T amb =25°C (a)
Pulsed drain current (c)
Pulsed source current (body diode) (c)
Power dissipation at T amb =25°C (a)
Linear derating factor
Power dissapation at T amb =25°C (b)
Linear derating factor
Operating and storage temperature range
Symbol
V DSS
V GS
I D
I DM
I SM
P D
P D
T j , T stg
Limit
-200
± 20
-137
-0.8
-0.8
1
8
1.5
12.3
-55 to +150
Unit
V
V
mA
A
A
W
mW/°C
W
mW/°C
°C
Thermal resistance
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Junction to
ambient (a)
R JA
125
°C/W
Junction to ambient (b)
R JA
81
°C/W
NOTES:
(a) For a device surface mounted on 25mm x 25mm FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper, in still air
conditions.
(b) For a device surface mounted on FR4 pcb measured at t
5 sec.
(c) Repetitive rating - 25mm x 25mm FR4 PCB, D=0.02, pulse width 300 s - pulse width limited by maximum junction
temperature.
Issue 1 - January 2007
? Zetex Semiconductors plc 2007
2
www.zetex.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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