收藏本站
参数资料
型号： ZXMP10A18K
厂商： Diodes Inc
文件页数： 6/8页
文件大小： 0K
描述： MOSFET P-CHAN 100V DPAK
标准包装： 1
FET 型： MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点： 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)： 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 3.8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 150 毫欧 @ 2.8A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 26.9nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 1055pF @ 50V
功率 - 最大： 2.17W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装： TO-252-3
包装： 标准包装
其它名称： ZXMP10A18KDKR
ZXMP10A18K
Typical characteristics
Current
regulator
Q G
12V
0.2 F
50k
Same as
D.U.T
V G
Q GS
Q GD
Charge
I G
V GS
D.U.T
V DS
I D
Basic gate charge waveform
V DS
Gate charge test circuit
90%
10%
R G
V GS
R D
V DS
V CC
V GS
Pulse width
1 S
Duty factor 0.1%
t r
t (on)
t d(off)
t r
t (on)
t d(on)
Switching time waveforms
Switching time test circuit
Issue 1 - August 2006
? Zetex Semiconductors plc 2006
6
www.zetex.com
相关PDF资料
PDF描述
ZXMP2120E5TA MOSFET P-CH 200V 122MA SOT23-5
ZXMP2120FFTA MOSFET P-CH 200V SOT23F-3
ZXMP2120G4TA MOSFET P-CH 200V 200MA SOT-223
ZXMP3A13FTA MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3
ZXMP3A16DN8TA MOSFET 2P-CH 30V 5.5A 8-SOIC
相关代理商/技术参数
参数描述
ZXMP10A18KTC 功能描述:MOSFET P-Ch 100 Volt 5.2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZXMP2120E5 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET P SOT23-5
ZXMP2120E5TA 功能描述:MOSFET P-Ch 200 Volt 0.122A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZXMP2120FF 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:200V SOT23F P-channel enhancement mode MOSFET
ZXMP2120FFTA 功能描述:MOSFET 200V P-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*