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参数资料
| 型号： | ZXMP10A13FTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23-3 |
| 其它图纸： | SOT-23 SOT-23 Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 600mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1 欧姆 @ 600mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 141pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 625mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1474 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMP10A13FDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZXMP10A13F
Thermal Characteristics
10
0.7
1
R DS(on)
Limited
0.6
0.5
100m
DC
1s
0.4
0.3
T amb =25°C
10m
100ms
10ms
Single Pulse 1ms
100μs
1 10
-V DS Drain-Source Voltage (V)
Safe Operating Area
100
0.2
0.1
0.0
0
20
40 60 80 100 120 140 160
Temperature (°C)
Derating Curve
200
150
T amb =25°C
10
Single Pulse
T amb =25°C
D=0.5
100
50
D=0.2
Single Pulse
D=0.05
1
D=0.1
0
100μ
1m
10m 100m 1
Pulse Width (s)
10
100
1k
100μ
1m
10m 100m 1 10
Pulse Width (s)
100
1k
Transient Thermal Impedance
Pulse Power Dissipation
ZXMP10A13F
Document number: DS33596 Rev. 3 - 2
3 of 8
www.diodes.com
October 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMP10A16KTC | MOSFET P-CH 100V DPAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| ZXMP10A16KTC | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V MOSFET (UMOS) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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