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参数资料
| 型号： | ZXMP3A17DN8TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 30V 4.4A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | SO-8 SO-8 Dual Pin Out |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 3.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 630pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMP3A17DN8DKR |
ZXMP3A17DN8
CHARACTERISTICS
2.0
R DS(on)
10 Limited
1.8
1.6
1
DC
1.4
1.2
1.0
Two active die
100m
10m
1s
100ms
Single Pulse
T amb =25°C
One active die
10ms
1ms
100μs
0.8
0.6
0.4
0.2
One active die
100m
1 10
-V DS Drain-Source Voltage (V)
0.0
0
20
40 60 80 100 120 140 160
Temperature (°C)
110
Safe Operating Area
Derating Curve
100
90
80
T amb =25°C
One active die
100
Single Pulse
T amb =25°C
One active die
70
60
50
40
D=0.5
10
30
20
D=0.2
Single Pulse
D=0.05
10
D=0.1
0
100μ 1m 10m 100m 1 10 100 1k
1
100μ 1m
10m 100m
1
10
100
1k
Pulse Width (s)
Transient Thermal Impedance
ISSUE 1 - OCTOBER 2005
3
Pulse Width (s)
Pulse Power Dissipation
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMP3A17E6TA | MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT-23-6 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| ZXMP3A17E6TA | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET P SOT-23-6 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, P, SOT-23-6 制造商:DIODES 功能描述:MOSFET, P, SOT-23-6, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id: 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, P, SOT-23-6, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id: |
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