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参数资料
| 型号： | ZXMP3A17DN8TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 30V 4.4A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | SO-8 SO-8 Dual Pin Out |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 3.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 630pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMP3A17DN8DKR |
ZXMP3A17DN8
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT CONDITIONS.
STATIC
I =-250 A, V DS = V GS
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage
Gate-Source Threshold Voltage
V (BR)DSS
I DSS
I GSS
V GS(th)
-30
-1.0
-1.0
100
V
A
nA
V
I D =-250 μ A, V GS =0V
V DS =-30V, V GS =0V
V GS = 20V, V DS =0V
D
Static Drain-Source On-State Resistance R DS(on)
(1)
0.070
0.110
V GS =-10V, I D =-3.2A
V GS =-4.5V, I D =-2.5A
Forward Transconductance (1)(3)
g fs
6.4
S
V DS =-15V,I D =-3.2A
DYNAMIC (3)
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C iss
C oss
C rss
630
113
78
pF
pF
pF
V DS =-15 V, V GS =0V,
f=1MHz
SWITCHING (2) (3)
Turn-On Delay Time
t d(on)
1.74
ns
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Gate Charge
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
t r
t d(off)
t f
Q g
Q g
Q gs
Q gd
2.87
29.2
8.72
8.28
15.8
1.84
2.80
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V DD =-15V, I D =-1A
R G =6.0 ? , V GS =-10V
V DS =-15V,V GS =-5V,
I D =-3.2A
V DS =-15V,V GS =-10V,
I D =-3.2A
SOURCE-DRAIN DIODE
Diode Forward Voltage (1)
Reverse Recovery Time (3)
Reverse Recovery Charge (3)
V SD
t rr
Q rr
-0.85
19.5
16.3
-1.2
V
ns
nC
T J =25°C, I S =-2.5A,
V GS =0V
T J =25°C, I F =-1.7A,
di/dt= 100A/ μ s
NOTES
(1) Measured under pulsed conditions. Width ≤ 300 μ s. Duty cycle ≤ 2% .
(2) Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
(3) For design aid only, not subject to production testing.
ISSUE 1 - OCTOBER 2005
4
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