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参数资料
| 型号： | ZXMP6A17GTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 3A SOT223 |
| 其它图纸： | SOT-223 SOT-223 Footprint |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 125 毫欧 @ 2.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17.7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 637pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1474 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMP6A17GDKR |
ZXMP6A17G
Typical Characteristics – (cont.)
1000
V GS = 0V
10
800
f = 1MHz
8
600
400
200
C ISS
C OSS
C RSS
6
4
2
I D = -2.3A
V DS = -30V
0
0.1
1 10
-V DS - Drain - Source Voltage (V)
0
0
2
4
6 8 10 12
Q - Charge (nC)
14
16
18
Capacitance v Drain-Source Voltage
Test Circuits
Q G
Gate-Source Voltage v Gate Charge
Current
regulator
V G
Q GS
Q GD
12V
0.2mF
50k
I G
Sameas
D.U.T
V DS
D.U.T
Charge
V GS
I D
Basic gate charge waveform
V DS
Gate charge test circuit
90%
10%
R G
V GS
R D
V DS
V DD
t r
t d(of )
t r
t d(on)
V GS
Pulsewidth , 1mS
Duty factor 0.1%
t (on)
t (on)
Switching time waveforms
Switching time test circuit
ZXMP6A17G
Document Number DS33375 Rev. 6 - 2
6 of 8
www.diodes.com
February 2014
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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